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单晶和多晶的少数载流子寿命测试设备

  • 简单描述:产品性能
    先进材料的研究和开发
    灵敏度: 对外延层监控和不可见缺陷检测,
    具有可视化测试的高分辨率
    测试速度: < 5 minutes,6英寸硅片, 1mm分辨率
    寿命测试范围: 20ns到几ms
    玷污测试: 产生于坩埚和生产设备中的金属沾污(Fe)
    测试能力: 从切割的晶元片到所有工艺中的样品
    灵活性: 允许外部激发光与测试模块进行耦合
    可靠性: 模块化紧凑型台式检测设备,使用时间 > 99
  • 更新时间:2021-04-14
  • 产品型号:MDPmap
详细介绍

MDPmap设计用于离线生产控制或研发、测量少子寿命、光电导率、电阻率和缺陷信息等参数的小型台式无触点电特性测量仪器,在稳态或短脉冲激励下(μ-PCD)下工作。自动的样品识别和参数设置允许在从原始生长晶片到高达95%金属化晶片的各种工艺阶段之后,容易地应用于包括外延层的各种不同样品。

MDPmap的主要优点是灵活性高。例如,它允许集成多达四个激光器,用于从超低注入到高注入的与注入水平相关的寿命测量,或者通过使用不同的激光波长提取深度信息。包括偏光设施,以及μ-PCD或稳态注入条件的选择。可以使用不同的测量图形进行客户定义的计算,以及导出用于进一步评估的主要数据。对于标准测量,预定义的标准仅通过按一个按钮即可实现常规测量。

 


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